中文字幕无码乱人妻,69久久国产精品热88人妻,assfree疯狂老妇熟女,嫩草av久久伊人妇女超级a

中文 EN
首頁
關(guān)于我們
新品發(fā)布
1200V 80 mΩ SIC MOSFET
1200V 80 mΩ SIC MOSFET 返回
新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.近年來PV逆變器市場進(jìn)入高速發(fā)展期,對碳化硅功率器件的需求迅速增大,碳化硅二極管和MOSFET應(yīng) 用于BOOST電路中時,可以提高系統(tǒng)的開關(guān)速度,從而可以優(yōu)化整個系統(tǒng)的能耗和體積;
2.碳化硅 MOSFET為匹配PV行業(yè)客戶需求,開關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對標(biāo)行業(yè)最佳;
3.不僅適用于常規(guī)開關(guān)應(yīng)用,還滿足控制要求高的高壓高速開關(guān)應(yīng)用,采用環(huán)保物料,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);
產(chǎn)品特點 1.耐高溫特性,工作溫度(175°C);單極性器件,開關(guān)速度快,損耗低,適用于高壓,高頻的應(yīng)用條件;
2.采用先進(jìn)的減薄工藝,使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性,減小器件能量損耗;
3.產(chǎn)品封裝類型有TO-247-3L,TO-247-4L等多種封裝形式可選;
4.通過行業(yè)嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證,包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試。
規(guī)格書

YJD212080NCFG1

相關(guān)新品

用于漏電保護(hù)的小功率可控硅

揚(yáng)杰首創(chuàng)大電流貼片整流橋

SOD-323FL封裝肖特基

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

IGBT低損耗系列

IGBT快速系列

IGBT 高性能微溝槽單管產(chǎn)品——光儲充新能源應(yīng)用

用于工業(yè)控制的N150V MOSFET新品

TOLL封裝 SiC MOSFET

應(yīng)用于PD電源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

Privacy Cookies 本網(wǎng)站使用瀏覽器紀(jì)錄 Cookies 來優(yōu)化您的使用體驗,相關(guān)信息請訪問我們的法律聲明與隱私聲明。如果您選擇繼續(xù)瀏覽這個提示,便表示您已接受我們網(wǎng)站的使用條款。